一、产品特点：
测试品种覆盖面广、测试精度高、电参数测试全、速度快、有良好的重复性和一致性、工作稳定可靠，具有保护系统和被测器件的能力。测试仪由计算机操控，测试数据可存储打印。除具有点测试功能外，还具有曲线扫描功能（图示仪功能）。系统软件功能全、使用灵活方便、操作简单。系统软件稳定可靠、硬件故障率低，在实际测试应用中各项技术指标均可达到器件手册技术指标及国标要求。
二、测试参数 被测器件图形 三、测试参数范围
晶体管
测试参数
测试范围
ICEO
ICBO
IEBO
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VCE(sat)
VBE(sat)
0.10V-30V
VBE(VBE(on))
0.10V-30V
hFE
1－99999
V(BR)EBO
0.10V-30V
V(BR)CEO
V(BR)CBO
0. 10V-50V
50V-1499V
二极管
测试参数
测试范围
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VF
0.10V-30V
V(BR)
1V-50V
50V-1499V
稳压二极管
测试参数
测试范围
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VF
0.10V-30V
VZ
0.10V-50V
三端稳压器
测试参数
测试范围
VO
0.10V-30V
SV
0.10mV-1V
ID
1uA-10mA
IDV
1uA-10mA
MOSFET
测试参数
测试范围
VGS(th)
0.10V-30V
gfs
0.1mS-1000S
RDS(on)
10mΩ-100KΩ
VDS(on)
0.10V-50V
IGSS
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
IDSS
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
ID(on)
0-50A
V(BR)GSS
0.1V-30V
V(BR)DSS
0.1V-1499V
光耦
测试参数
测试范围
VF
0.10V-30V
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VCE(sat)
0.10V-50V
CTR
0.1%-1000%
ICEO
与IR参数相同
V(BR)ECO V(BR)CEO
0.10V-50V
50V-1499V
可控硅
测试参数
测试范围
IGT
10uA-200mA
VGT
0.10V-30V
IH
10uA IL
10uA VTM
0.10V-50V
四、技术指标
1、源的指标
主极压流源 (VA)
电压：
设定范围（V）
精确度
±(0~10)
±(14.6mV+0.5%set)
±(10~50)
±(73.2mV+0.5%set)
电流：
测量范围
精确度
±(0-50)uA
±(244nA+0.5% set)
±(50-500) uA
±(2.44uA+0.5% set)
±(0.5-5) mA
±(24.4uA+0.5% set)
±(5-50) mA
±(244uA+0.5% set)
±(50~500) mA
±(2.44mA+0.5%set)
±(0.5~5)A（脉冲）
±(24.4mA+0.5%set)
±(5-50)A（脉冲）
±(244mA+0.5%set)
压流源 (VB)
电压：
设定范围（V）
精确度
±(0~10)
±(14.6mV+0.5%set)
±(10~30)
±(43.8mV+0.5%set)
电流：
测量范围
精确度
±(0-50)uA
±(244nA+0.5% set)
±(50-500) uA
±(2.44uA+0.5% set)
±(0.5-5) mA
±(24.4uA+0.5% set)
±(5-50) mA
±(244uA+0.5% set)
±(50~500) mA
±(2.44mA+0.5%set)
±(0.5~5)A（脉冲）
±(24.4mA+0.5%set)
±(5-50)A（脉冲）
±(244mA+0.5%set)
高压源（HV）
设定范围（V）
精确度
0~1500
±(1.22V+1%set)
*1500V时最大输出为5mA。
2、电压表的指标
测漏电流
测量范围
精确度
±(0~200)nA
±(2.44nA+0.5% Rdg)
±(0.2-2)uA
±(24.4nA+0.5% Rdg)
±(2-20)uA
±(244nA+0.5% Rdg)
±(20~200) uA
±(2.44uA+0.5% Rdg)
±(0.2~2)mA
±(24.4uA+0.5% Rdg)
±(2-20)mA
±(244uA+0.5% Rdg)
测试电压
设定范围（V）
精确度
±(0~10)
±(3mV+0.5% Rdg)
±(10~50)
±(15mV+0.5% Rdg)
测击穿电压
设定范围（V）
精确度
（0~50）V/10mA
±(36.6mV+0.25% Rdg)
（50~1500）V/1mA
±(610.3mV+1% Rdg)
放大倍数
设定范围（V）
精确度
1~9999
1%
1． 二极管
VF、IR、BVR
2． 稳压（齐纳）二极管
VF、IR、BV Z
3． 晶体管 Transistor（NPN型/PNP型）
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4． 可控硅整流器（晶闸管）
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5． 场效应管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS
6． 光电耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*7．三端稳压器
VO、SV、ID、IDV
